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CasaProductos808nm diodo módulo láser

808nm 8W láser diodo K81D14C-8.00W-FS

China  de buena calidad  módulo de láser azul on sales
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808nm 8W láser diodo K81D14C-8.00W-FS

Ampliación de imagen : 808nm 8W láser diodo K81D14C-8.00W-FS

Datos del producto:

Certificación:ISO9001
Nombre de la marca:PN
Número de modelo:K81D14C-8.00W-FS
Lugar de origen:Beijing China (continental)

Pago y Envío Términos:

Condiciones de pago:T/T
Tiempo de entrega:Cuatro-ocho semanas
Cantidad mínima de pedido:1 Piece / Pieces
Capacidad de suministro:100.000 al año
Descripción detallada del producto

 

 

Diodo láser K81D14C-8.00W-FS de las características dominantes 808nm:

  • 8W de potencia de salida
  • Acoplador estándar de la fibra para la fibra de la base de los 200μm
  • longitud de onda 808nm 
  • 650nm que apunta la viga
  • Opción del cliente:
    Sensor de la fibra
    Circuito de control de la potencia constante adentro
     

Diodo láser K81D14C-8.00W-FS de los usos 808nm:

  • Bombeo de laser
  • Uso médico
  • Tratamiento de materiales

 

Especificaciones (25℃)

Símbolo

Unidad

K81D14C-

2.00W-FS

K81D14C-

4.00W-FS

K81D14C-

8.00W-FS

Datos ópticos

energía de la CW-salida

Po

W

2

4

8

Longitud de onda de centro

lc

nanómetro

808

Tolerancia de l

-

nanómetro

±3, ±10

Anchura espectral (FWHM)

△l

nanómetro

<3

Deriva de la temperatura de l

-

nm/℃

~0.3

Datos del conectador

Diseñado para el diámetro de base de la fibra

Wc

µm

200

Diseñado para la abertura numérica de la fibra

NA

-

0.22

Conectador de la fibra

-

-

SMA-905

Datos eléctricos

Corriente de la operación

IOP

A

2.5

5.0

10.0

Corriente del umbral

Ith

A

0.4

0.8

1.5

Eficacia de conversión

η

%

35~45

Eficacia de la cuesta

ηD

W/A

0.8~1.0

Voltaje de la operación

Vop

V

1.8

2.1

2.2

Voltaje reverso

Vre

V

2

Datos del paladio

Actual

OMI

mA

0.10~2.00

Datos TÉCNICOS

Corriente máxima

Él

A

4.0

4.0

6.0

Voltaje máximo

Vt

V

9.8

Datos del termistor (1)

Termistor

Rt

(K Ω)/Β (25℃)

10±5%∕3477

Apuntar datos de la viga

De potencia de salida

PA

mW

>2

Longitud de onda

la

nanómetro

650±10

Voltaje

Va

V

2.2 (2)

Actual

Ia

mA

<30

Otros

Temperatura de la operación

Tapa

10~30

Temperatura de almacenaje

Prueba

-20~+80

Curso de la vida

MTTF

h

>10, 000

Dimensiones

(fibra y conectador no incluidos)

-

milímetro

44.5×31.8×18.0

Temperatura que suelda del plomo

Tis

         ℃

260 (sec 10.)

  1. RT=R0·exp (β (1/T-1/T0)), (T0=25℃=298K).
  2. Con un circuito de la potencia constante adentro.

Información de contacto
BWT Beijing Ltd

Persona de contacto: Ms.Hellen Wang

Tel:86-10-83681053

Fax:86-10-83682949

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

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