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Bwt 808 nanómetro 60 W ópticamente bombeó el laser del semiconductor

Bwt 808 nanómetro 60 W ópticamente bombeó el laser del semiconductor

Cuota De Producción: 1 pedazo/pedazo
Período De Entrega: 4-8weeks
Forma De Pago: T/T
Capacidad De Suministro: 100,000/Year
Información detallada
Lugar de origen
China
Nombre de la marca
BWT
Certificación
ISO9001
Número de modelo
K808DN1RN-60.00W
Longitud de onda:
808nm
Poder:
60W
Fibra:
el 106.5µm
protección de la reacción:
1040nm-1200nm
Usos:
Bombeo de DPSS
Cantidad de orden mínima:
1 pedazo/pedazo
Tiempo de entrega:
4-8weeks
Condiciones de pago:
T/T
Capacidad de la fuente:
100,000/Year
High Light:

el bwt ópticamente bombeó el laser del semiconductor

,

808 nanómetro ópticamente bombearon el laser del semiconductor

,

60 w ópticamente bombearon el laser del semiconductor

Descripción del producto

Características:

  • longitud de onda 808nm
  •  
  • 60W de potencia de salida
  •  
  • diámetro de base de la fibra del 106.5µm
  •  
  • 0.22NA
  • protección de la reacción 1040nm-1200nm

 

Usos:

 

Bombeo de DPSS

Uso médico

Tratamiento de materiales

 

Especificaciones (25℃)

 

Símbolo

 

Unidad

 

K808DN1RN-60.00W
Mínimo Típico Máximo
Datos ópticos Poder de la CW-salida Po W 60 - -
Longitud de onda de centro λc nanómetro 808±3
Anchura espectral (FWHM) △λ nanómetro - 6 -
Cambio de la longitud de onda con temperatura △λ/△T nm/℃ - 0,3 -
Cambio de la longitud de onda con la corriente △λ/△A nm/A - 0,6 -
Datos eléctricos Eficacia Eléctrico-a-óptica PE % - 42 -
Corriente del umbral lth - - 5,5
Actual de funcionamiento pode - 0,85 -
Voltaje de funcionamiento Vop V - 28,4 29
Eficacia de la cuesta η W/A - 13 -

Datos de la fibra

 

Diámetro de base Dcore μm - 106,5 -
Diámetro del revestimiento Dclad μm - 125 -
Diámetro flojo de la tubería de la fibra
-

milímetro

0,9
Abertura numérica NA - - 0,22 -
Longitud de la fibra Lc m - 2 -
Diámetro flojo de la tubería de la fibra - milímetro 0,9
Radio de doblez mínimo - milímetro 50 - -
Terminación de la fibra - milímetro -
SMA905
-
Aislamiento de la reacción Gama de longitud de onda λ nanómetro 1040-1200
Aislamiento - DB - 30 -
Termistor
 
- Rt
(Ω de K)/β ( 25)
-
10±3%/3477
-
Otros ESD - V - - 500
Temperatura de almacenamiento - -20 - 70
Temporeros que sueldan de la ventaja Tls - - 260
Lleve el tiempo que suelda TIs sec - - 10
Temperatura de caso de funcionamiento Top 15 - 35
Humedad relativa - % 15 - 75
productos
DETALLES DE LOS PRODUCTOS
Bwt 808 nanómetro 60 W ópticamente bombeó el laser del semiconductor
Cuota De Producción: 1 pedazo/pedazo
Período De Entrega: 4-8weeks
Forma De Pago: T/T
Capacidad De Suministro: 100,000/Year
Información detallada
Lugar de origen
China
Nombre de la marca
BWT
Certificación
ISO9001
Número de modelo
K808DN1RN-60.00W
Longitud de onda:
808nm
Poder:
60W
Fibra:
el 106.5µm
protección de la reacción:
1040nm-1200nm
Usos:
Bombeo de DPSS
Cantidad de orden mínima:
1 pedazo/pedazo
Tiempo de entrega:
4-8weeks
Condiciones de pago:
T/T
Capacidad de la fuente:
100,000/Year
High Light

el bwt ópticamente bombeó el laser del semiconductor

,

808 nanómetro ópticamente bombearon el laser del semiconductor

,

60 w ópticamente bombearon el laser del semiconductor

Descripción del producto

Características:

  • longitud de onda 808nm
  •  
  • 60W de potencia de salida
  •  
  • diámetro de base de la fibra del 106.5µm
  •  
  • 0.22NA
  • protección de la reacción 1040nm-1200nm

 

Usos:

 

Bombeo de DPSS

Uso médico

Tratamiento de materiales

 

Especificaciones (25℃)

 

Símbolo

 

Unidad

 

K808DN1RN-60.00W
Mínimo Típico Máximo
Datos ópticos Poder de la CW-salida Po W 60 - -
Longitud de onda de centro λc nanómetro 808±3
Anchura espectral (FWHM) △λ nanómetro - 6 -
Cambio de la longitud de onda con temperatura △λ/△T nm/℃ - 0,3 -
Cambio de la longitud de onda con la corriente △λ/△A nm/A - 0,6 -
Datos eléctricos Eficacia Eléctrico-a-óptica PE % - 42 -
Corriente del umbral lth - - 5,5
Actual de funcionamiento pode - 0,85 -
Voltaje de funcionamiento Vop V - 28,4 29
Eficacia de la cuesta η W/A - 13 -

Datos de la fibra

 

Diámetro de base Dcore μm - 106,5 -
Diámetro del revestimiento Dclad μm - 125 -
Diámetro flojo de la tubería de la fibra
-

milímetro

0,9
Abertura numérica NA - - 0,22 -
Longitud de la fibra Lc m - 2 -
Diámetro flojo de la tubería de la fibra - milímetro 0,9
Radio de doblez mínimo - milímetro 50 - -
Terminación de la fibra - milímetro -
SMA905
-
Aislamiento de la reacción Gama de longitud de onda λ nanómetro 1040-1200
Aislamiento - DB - 30 -
Termistor
 
- Rt
(Ω de K)/β ( 25)
-
10±3%/3477
-
Otros ESD - V - - 500
Temperatura de almacenamiento - -20 - 70
Temporeros que sueldan de la ventaja Tls - - 260
Lleve el tiempo que suelda TIs sec - - 10
Temperatura de caso de funcionamiento Top 15 - 35
Humedad relativa - % 15 - 75
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