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laser embalado coaxial del diodo de 635nm 2mW SM

laser embalado coaxial del diodo de 635nm 2mW SM

635nm 2mW Coaxial Packaged SM Diode Laser

Datos del producto:

Lugar de origen: Beijing China (continental)
Nombre de la marca: BWT
Certificación: ISO9001
Número de modelo: K635F03RN-0.002W

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1 Piece / Pieces
Tiempo de entrega: Cuatro-ocho semanas
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 200,000/year
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Descripción detallada del producto

Características:

longitud de onda 635nm

2mW de potencia de salida

diámetro de base de la fibra de los 4μm

0,22 N.A.

protección de la reacción 1040nm-1200nm

 

Usos:

Apuntar el haz para el laser de la fibra

Uso de la impresión

Uso médico

Investigación científica

 

Especificaciones (25℃)

 

Símbolo

 

Unidad

 

K635F03RN-0.002W

 

Mínimo Típico Máximo
Datos ópticos Poder de la CW-salida Po mW 2 - -
Longitud de onda de centro - nanómetro 635±10
Anchura espectral (FWHM) - nanómetro - 3 -
Cambio de la temperatura de la longitud de onda - nm/℃ - 0,2 -
Datos eléctricos Eficacia Eléctrico-a-óptica PE % 1 - -
Corriente del umbral lth mA - 34 -
Corriente de funcionamiento pode mA - - 65
Voltaje de funcionamiento Vop V - - 2,5
Eficacia de la cuesta η W/A - 0,26 -

Datos de la fibra

 

Diámetro de base Dcore μm - 4 -
Diámetro del revestimiento Dclad μm - 125 -
Diámetro del almacenador intermediario Dbuf μm - 245 -
Abertura numérica NA NA - 0,13 -
Longitud de la fibra Lf m - 1 -
Diámetro flojo de la tubería de la fibra - μm PVC de 0.9m m
Radio de doblez mínimo - milímetro 50 - -
Terminación de la fibra - - FC (APC) /SC (APC) /SMA905/ST
Aislamiento de la reacción Longitud de onda de la reflexión trasera - nanómetro 1040-1200
Aislamiento de la reflexión trasera - DB - 30 -
Otros ESD Vesd V - - 500
Temperatura de almacenamiento Prueba -20 - 70
Temporeros que sueldan de la ventaja Tls - - 260
Tiempo que suelda de la ventaja t sec - - 10
Temperatura de caso de funcionamiento Top 15 - 35
Humedad relativa Derecho % 15 - 75

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