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976nm 180W Longitud de onda-estabilizó el laser juntado fibra del diodo del poder más elevado

976nm 180W Longitud de onda-estabilizó el laser juntado fibra del diodo del poder más elevado

  • 976nm 180W Longitud de onda-estabilizó el laser juntado fibra del diodo del poder más elevado
976nm 180W Longitud de onda-estabilizó el laser juntado fibra del diodo del poder más elevado
Datos del producto:
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: BWT
Certificación: ISO9001
Número de modelo: K976BN1RN-180.0W
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1 pedazo/pedazo
Precio: -
Tiempo de entrega: Cuatro-ocho semanas
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 100,000/Year
Contacto
Descripción detallada del producto
Alta luz:

diodos de láser de alta potencia

,

módulo del laser del poder más elevado

Características:
 de la longitud de onda del  976nm

     de potencia de salida 180W

     del diámetro de base de la fibra de los 200µm

    0.22N.A. 

    protección de la reacción 1040nm-1200nm
Uso:

     Bombeo de laser de la fibra

 

Especificaciones (25℃)

 

Símbolo

 

Unidad

 

K976BN1RN-180.0W
Mínimo Típico Máximo
Datos ópticos Poder de la CW-salida Po W 180 - -
Longitud de onda de centro λc nanómetro 976±1nm
Anchura espectral (FWHM) △λ nanómetro <1
Gama bloqueada de la longitud de onda - A (Iop-2) ~ IOP
Cambio de la longitud de onda con temperatura △λ/△T nm/℃ - 0,02 -
Cambio de la longitud de onda con la corriente △λ/△A nm/A - 0,03 -
Datos eléctricos Eficacia Eléctrico-a-óptica PE % - 45 -
Corriente del umbral lth A - 0,9 -
Corriente de funcionamiento pode A - 13 14
Voltaje de funcionamiento Vop V - 31,5 35
Eficacia de la cuesta η W/A - 13 -

Datos de la fibra

 

Diámetro de base Dcore μm - 200 -
Diámetro del revestimiento Dclad μm - 220 -
Diámetro del almacenador intermediario Dbuf μm - 320 -
Abertura numérica NA NA - 0,22 -
Longitud de la fibra Lf m 1,9 2 -
Diámetro flojo de la tubería de la fibra - μm 1m m PTFE /180cm
Radio de doblez mínimo - milímetro 88 - -
Terminación de la fibra - - - FPT -
Aislamiento de la reacción Longitud de onda de la reflexión trasera λ nanómetro 1040-1200
Aislamiento de la reflexión trasera - DB - 30 -
Otros ESD Vesd V - - 500
Temperatura de almacenamiento Prueba -20 - 70
Temporeros que sueldan de la ventaja Tls - - 260
Tiempo que suelda de la ventaja t sec - - 10
Temperatura de caso de funcionamiento Top 25 - 30
Humedad relativa Derecho % 15 - 75

 

Contacto
BWT Beijing Ltd

Persona de Contacto: BWT Sales Team

Teléfono: +86 10 83681053

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