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Inicio ProductosMódulo de láser de diodo 808nm

Módulo -808nm 60W del laser del diodo del alto brillo para el bombeo de láser de estado sólido

Módulo -808nm 60W del laser del diodo del alto brillo para el bombeo de láser de estado sólido

High Brightness Diode Laser Module -808nm 60W for Solid-State Laser Pumping

Datos del producto:

Lugar de origen: Beijing China (continental)
Nombre de la marca: BWT
Certificación: ISO9001:2008
Número de modelo: K808DN1RN-60.00W

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima: 1 Piece / Pieces
Tiempo de entrega: Cuatro-ocho semanas
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 300,000/year
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Descripción detallada del producto
Nombre del producto: módulo de diodo láser Potencia de salida: 60W
longitud de onda: 808nm Diámetro del paquete de fibra: el 106.5µm
Abertura numérica: 0.22N.A Aplicación: Bombeo de láser de estado sólido

Características:

longitud de onda 808nm

60W de potencia de salida

diámetro de base de la fibra del 106.5μm

0,22 N.A.

 

Usos:

Bombeo de DPSS

Uso médico

Tratamiento de materiales

 

Especificaciones (25℃)

 

Símbolo

 

Unidad

 

K808DN1RN-60.00W
Mínimo Típico Máximo
Datos ópticos Poder de la CW-salida Po W 60 - -
Longitud de onda de centro λc nanómetro 808±3
Anchura espectral (FWHM) △λ nanómetro   6  
Cambio de la longitud de onda con temperatura △λ/△T nm/℃ - 0,3 -
Cambio de la longitud de onda con la corriente △λ/△A A/℃ - 1 -
Datos eléctricos Eficacia Eléctrico-a-óptica PE %   42 -
Corriente del umbral lth A - 0,85 -
Corriente de funcionamiento pode A - - 5,5
Voltaje de funcionamiento Vop V - 28,4 29
Eficacia de la cuesta η W/A - 13 -

Datos de la fibra

 

Diámetro de base Dcore μm - 106,5 -
Diámetro del revestimiento Dclad μm - 125 -
Diámetro del almacenador intermediario Dbuf μm - 250 -
Abertura numérica NA NA - 0,22 -
Longitud de la fibra Lf m - 2 -
Diámetro flojo de la tubería de la fibra - μm 1m m PTFE el 180cm
Radio de doblez mínimo - milímetro 60 - -
Terminación de la fibra - - - FPT -
Aislamiento de la reacción Longitud de onda de la reflexión trasera λ nanómetro 1040-1200
Aislamiento de la reflexión trasera - DB - 30 -
Otros ESD Vesd V - - 500
Temperatura de almacenamiento Prueba -20 - 70
Temporeros que sueldan de la ventaja Tls - - 260
Tiempo que suelda de la ventaja t sec - - 10
Temperatura de caso de funcionamiento Top 15 - 35
Humedad relativa Derecho % 15 - 75

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