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La fibra médica del semiconductor juntó el vatio los 375μm 0.22NA del laser 808nm 15 del diodo

Informacion basica
Lugar de origen: China
Nombre de la marca: BWT
Certificación: ISO9001
Número de modelo: K808F02MN-15.00W
Cantidad de orden mínima: 1 Piece / Pieces
Tiempo de entrega: Cuatro-ocho semanas
Condiciones de pago: T/T
Capacidad de la fuente: 100,000/Year
Información detallada
Alta luz:

láser de diodo de alta potencia del módulo

,

módulo del laser del poder más elevado


Descripción de producto

Características:

  • longitud de onda 808nm
  • 15W de potencia de salida
  • diámetro del paquete de fibra de los 375µm
  • 0.22N.A.


Usos:

  • Bombeo de laser
  • Iluminación
  • Uso médico
  • Tratamiento de materiales
Especificaciones (25℃) Símbolo Unidad K808F02MN-15.00W
Mínimo Típico Máximo

Parámetro

 

 

Poder de la CW-salida Po W 15 - -
Longitud de onda de centro λc nanómetro 789 808 818
Corriente del umbral Ith A - 0,8  
Corriente de funcionamiento IOP A - 3,0 -
Voltaje de funcionamiento Vop V - - 14
Voltaje reverso Vre V - - 17,5
Eficacia de la cuesta η W/A - 6,6 -
Eficacia Eléctrico-a-óptica PE % - 40 -
Anchura espectral (FWHM) δλ nanómetro - 5 -
Cambio de la longitud de onda con temperatura △λ/△T nm/℃ - 0,3 -
Datos de la fibra Diámetro de base Dcore µm - 375 -
Abertura numérica N.A NA - 0,22 -
Longitud de la fibra lc m - 1,0 -
Otros ESD Vesd V   500 -
Temperatura de almacenamiento Tstg -20 - 70
Temporeros que sueldan de la ventaja Tls - - 260
Tiempo que suelda de la ventaja t sec - - 10
Temperatura de caso de funcionamiento Top 15 - 35
Humedad relativa Derecho % 15 - 75

Contacto
Wang

Número de teléfono : +8615344313157