| Lugar de origen: | China |
|---|---|
| Nombre de la marca: | BWT |
| Certificación: | ISO9001 |
| Número de modelo: | K808DB2FN-8.000W |
| Cantidad de orden mínima: | 1 Piece / Pieces |
| Tiempo de entrega: | Cuatro-ocho semanas |
| Condiciones de pago: | T/T |
| Capacidad de la fuente: | 100.000 al año |
| Nombre de producto: | módulo del laser del diodo | De potencia de salida: | 8W |
|---|---|---|---|
| Longitud de onda: | 808nm | Abertura numérica: | 0.22N.A |
| Uso: | Tratamiento de materiales, bombeo de láser de estado sólido, uso médico, artes gráficos | ||
| Alta luz: | láser de diodo 808nm,módulo del laser del poder más elevado |
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Características:
longitud de onda 808nm
8W de potencia de salida
fibra de 200μm/0.22NA
Usos:
Bombeo de láser de estado sólido
Uso médico
Tratamiento de materiales
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Especificaciones (25℃)
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Símbolo
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Unidad
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K808DB2FN-8.000W
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| Mínimo | Típico | Máximo | ||||
| Datos ópticos | Poder de la CW-salida | Po | W | 8 | - | - |
| Longitud de onda de centro | λc | nanómetro | 808±3 | |||
| Anchura espectral (FWHM) | △λ | nanómetro | - | 3 | - | |
| Cambio de la longitud de onda con temperatura | △λ/△T | nm/℃ | - | 0,3 | - | |
| Cambio de la longitud de onda con la corriente | △λ/△A | nm/A | 1 | |||
| Datos eléctricos | Eficacia Eléctrico-a-óptica | PE | % | 46 | - | |
| Corriente del umbral | lth | A | - | 1,9 | - | |
| Corriente de funcionamiento | pode | A | - | - | 11 | |
| Voltaje de funcionamiento | Vop | V | - | 1,8 | 2 | |
| Eficacia de la cuesta | η | W/A | - | 1 | - | |
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Datos de la fibra
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Diámetro de base | Dcore | μm | - | 200 | - |
| Diámetro del revestimiento | Dclad | μm | - | 220 | - | |
| Diámetro del almacenador intermediario | Dbuf | μm | - | 320 | - | |
| Abertura numérica | NA | NA | - | 0,22 | - | |
| Longitud de la fibra | Lf | m | - | 1 | - | |
| Diámetro flojo de la tubería de la fibra | - | μm | PVC de 0.9m m | |||
| Radio de doblez mínimo | - | milímetro | 88 | - | - | |
| Terminación de la fibra | - | - | - | SMA905 | - | |
| Aislamiento de la reacción | Longitud de onda de la reflexión trasera | λ | nanómetro | 1020-1200 | ||
| Aislamiento de la reflexión trasera | - | DB | - | 30 | - | |
| Otros | ESD | Vesd | V | - | - | 500 |
| Temperatura de almacenamiento | Prueba | ℃ | -40 | - | 70 | |
| Temporeros que sueldan de la ventaja | Tls | ℃ | - | - | 260 | |
| Tiempo que suelda de la ventaja | t | sec | - | - | 10 | |
| Temperatura de caso de funcionamiento | Top | ℃ | 15 | - | 35 | |
| Humedad relativa | Derecho | % | 15 | - | 85 | |