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0.22N.A. módulo del laser del diodo de 8W 808nm, módulo del laser del diodo 8W

0.22N.A. módulo del laser del diodo de 8W 808nm, módulo del laser del diodo 8W

Cuota De Producción: 1 Piece / Pieces
Período De Entrega: Cuatro-ocho semanas
Forma De Pago: T/T
Capacidad De Suministro: 100.000 al año
Información detallada
Lugar de origen
China
Nombre de la marca
BWT
Certificación
ISO9001
Número de modelo
K808F14CC-8.000W
Nombre del producto:
módulo del laser del diodo, módulo del diodo láser, módulo del laser del poder más elevado
Potencia de salida:
8w
longitud de onda:
808nm
Abertura numérica:
0.22N.A
Aplicación:
Tratamiento de materiales, uso médico
Cantidad de orden mínima:
1 Piece / Pieces
Tiempo de entrega:
Cuatro-ocho semanas
Condiciones de pago:
T/T
Capacidad de la fuente:
100.000 al año
High Light:

láser de diodo 808nm

,

mini módulo del laser

Descripción del producto

Características:

        de potencia de salida 8W

        de la longitud de onda 808nm

       Acoplamiento estándar de la fibra para 200μm/0.22NA 

Opciones del cliente:

       Apuntar el haz

       Paladio del poder

       Termistor

       TEC

 

Usos:

Uso médico

Tratamiento de materiales

 

 

Especificaciones (25℃) Símbolo Unidad K808F14CC-8.000W
Mínimo Típico Máximo

Datos ópticos

 

 

Poder de la CW-salida Po W 8 - -
Corriente del umbral Ith A - 1,8  
Corriente de funcionamiento IOP A - - 11
Voltaje de funcionamiento Vop V - - 2,2
Voltaje reverso Vre V - 2,5 -
Eficacia de la cuesta η W/A - 0,8 -
Eficacia Eléctrico-a-óptica PE % 40 - -
Longitud de onda de centro ʎc nanómetro 798 - 818
Anchura espectral (FWHM) δλ nanómetro - 6 -
Cambio de la longitud de onda con temperatura - nm/℃ - 0,3 -
Datos de la fibra Diámetro del almacenador intermediario Dbuf µm - 400 -
Diámetro del revestimiento Dclad µm - 220 -
Diámetro de base Dcore µm - 200 -
Abertura numérica NA - - 0,22 -
Otros ESD Vesd V   - 500
Temperatura de almacenamiento Tstg -20 - 70
Temporeros que sueldan de la ventaja Tls - - 260
Tiempo que suelda de la ventaja t sec - - 10
Temperatura de caso de funcionamiento Top 15 - 35
Humedad relativa Derecho % 15 - 75
Datos del paladio Actual OMI μA 100 - 1000
Termistor - Rt (Ω de K)/β (25℃) - 10±3%/3477 -
Apuntar datos del haz De potencia de salida PA mW - 2 -
Longitud de onda la nanómetro 630 - 643
Voltaje Va V - 2,2 -
Actual la mA - 45 65
Datos TÉCNICOS Max. Current   A - 6 -
Max. Voltage   V - 9,8 -
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DETALLES DE LOS PRODUCTOS
0.22N.A. módulo del laser del diodo de 8W 808nm, módulo del laser del diodo 8W
Cuota De Producción: 1 Piece / Pieces
Período De Entrega: Cuatro-ocho semanas
Forma De Pago: T/T
Capacidad De Suministro: 100.000 al año
Información detallada
Lugar de origen
China
Nombre de la marca
BWT
Certificación
ISO9001
Número de modelo
K808F14CC-8.000W
Nombre del producto:
módulo del laser del diodo, módulo del diodo láser, módulo del laser del poder más elevado
Potencia de salida:
8w
longitud de onda:
808nm
Abertura numérica:
0.22N.A
Aplicación:
Tratamiento de materiales, uso médico
Cantidad de orden mínima:
1 Piece / Pieces
Tiempo de entrega:
Cuatro-ocho semanas
Condiciones de pago:
T/T
Capacidad de la fuente:
100.000 al año
High Light

láser de diodo 808nm

,

mini módulo del laser

Descripción del producto

Características:

        de potencia de salida 8W

        de la longitud de onda 808nm

       Acoplamiento estándar de la fibra para 200μm/0.22NA 

Opciones del cliente:

       Apuntar el haz

       Paladio del poder

       Termistor

       TEC

 

Usos:

Uso médico

Tratamiento de materiales

 

 

Especificaciones (25℃) Símbolo Unidad K808F14CC-8.000W
Mínimo Típico Máximo

Datos ópticos

 

 

Poder de la CW-salida Po W 8 - -
Corriente del umbral Ith A - 1,8  
Corriente de funcionamiento IOP A - - 11
Voltaje de funcionamiento Vop V - - 2,2
Voltaje reverso Vre V - 2,5 -
Eficacia de la cuesta η W/A - 0,8 -
Eficacia Eléctrico-a-óptica PE % 40 - -
Longitud de onda de centro ʎc nanómetro 798 - 818
Anchura espectral (FWHM) δλ nanómetro - 6 -
Cambio de la longitud de onda con temperatura - nm/℃ - 0,3 -
Datos de la fibra Diámetro del almacenador intermediario Dbuf µm - 400 -
Diámetro del revestimiento Dclad µm - 220 -
Diámetro de base Dcore µm - 200 -
Abertura numérica NA - - 0,22 -
Otros ESD Vesd V   - 500
Temperatura de almacenamiento Tstg -20 - 70
Temporeros que sueldan de la ventaja Tls - - 260
Tiempo que suelda de la ventaja t sec - - 10
Temperatura de caso de funcionamiento Top 15 - 35
Humedad relativa Derecho % 15 - 75
Datos del paladio Actual OMI μA 100 - 1000
Termistor - Rt (Ω de K)/β (25℃) - 10±3%/3477 -
Apuntar datos del haz De potencia de salida PA mW - 2 -
Longitud de onda la nanómetro 630 - 643
Voltaje Va V - 2,2 -
Actual la mA - 45 65
Datos TÉCNICOS Max. Current   A - 6 -
Max. Voltage   V - 9,8 -
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